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国内首家,厦门大学实现 8 英寸碳化硅外延生长

添加时间:2023-04-19 03:04:11

3 月 19 日消息,据厦门大学物理学系官方消息,近日,厦门大学成功实现了 8 英寸(200 mm)碳化硅(SiC)同质外延生长,成为国内首家拥有并实现该项技术的机构。

据介绍,作为第三代半导体的主要代表之一,碳化硅与硅相比,具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率,其在高温、高压、高频领域表现出色。基于碳化硅的电力电子器件已广泛地应用于航空航天、新能源汽车、轨道交通、光伏发电、智能电网等领域。

当前主流的碳化硅单晶与外延生长还处于 6 英寸阶段,扩大尺寸成为产业链降本增效的主要路径,然而在迈向 8 英寸过程中还存在诸多技术难题。

厦门大学科研团队负责人表示,通过克服了 8 英寸衬底应力更大、更易开裂、外延层厚度均匀性更难控制等问题,成功实现了基于国产衬底的碳化硅同质外延生长。外延层厚度为 12 um,厚度不均匀性为 2.3 %;掺杂浓度为 8.4×101? cmˉ3,掺杂浓度不均匀性<7.5 %;表面缺陷(Carrot、Triangle、Downfall、Scratch)密度< 0.5 cmˉ2。

上述科研团队负责人表示,本次突破,标志着我国已掌握 8 英寸碳化硅外延生长的相关技术。该技术的实现,是厦门大学与瀚天天成电子科技 (厦门) 有限公司等单位产学研合作的成果,将为我国碳化硅产业的发展注入新的动力,同时推动新能源等相关领域的发展。

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